合肥工业大学揭建胜博士3月20日学术报告

发布时间:2010-03-14访问量:43设置

 

人:揭建胜博士

合肥工业大学电子科学与应用物理学院

报告题目:Semiconductor Nanostructures: Doping, Devices, and Surface Effects(半导体纳米结构:掺杂、器件及表面效应)

报告时间:320日上午900

报告地点:FUNSOM实验室208报告室(材料大楼910号楼)

 

摘要:

随着纳米科技的发展,基于半导体纳米结构的纳米器件在近年来备受关注。然而,纳米器件在走向实用化的过程中还必须跨越如控制生长、器件工艺、器件组装与集成等一系列难题。本报告将对半导体纳米结构,特别是II-VI族半导体纳米结构的可控掺杂及其光电子器件应用进行深入讨论,并以硅纳米结构为例讨论表面效应对纳米结构电学性能影响及作用。本报告将由四部分组成:纳米场效应器件:讨论纳米场效应器件的制备,高性能器件的实现,以及纳米场效应器件的应用;纳米光电探测器:讨论如何利用II-VI族半导体实现高性能的可见至紫外全覆盖的光电探测器; II-VI族纳米结构掺杂及其光电子器件:讨论II-VI族纳米结构可控n/p-型掺杂的实现方法,以及基于纳米p-n结的光电子器件;纳米结构表面效应的研究与应用:讨论纳米结构表面效应对其电输运的影响及表面掺杂这一新的掺杂技术。

 

返回原图
/


XML 地图 | Sitemap 地图